Отделение физики твердого тела

Раздел Отделения на сайте ФИАН

 В разработке…

В 1934 г. по предложению академика С.И. Вавилова в Физическом институте АН СССР была организована лаборатория физики диэлектриков под руководством Б.М. Вула, преобразованная позднее в лабораторию физики полупроводников, на базе которой к началу 90-х годов было сформировано Отделение Физики Твердого тела. Сотрудники лаборатории (впоследствии отделения) внесли существенный вклад в создание полупроводниковых лазеров, плоскостных диодов и транзисторов, солнечных батарей, перестраиваемых лазеров дальнего ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников, а также других полупроводниковых приборов и устройств. Были обнаружены и исследованы сегнетоэлектрические свойства титаната бария, конденсация экситонов в электронно-дырочную жидкость, лазерная генерация субмиллиметрового электромагнитного излучения горячими носителями заряда в германии и др. Научные достижения сотрудников отделения отмечены Ленинскими и Государственными премиями.

Основные направления научных исследований:

  • Теоретические и экспериментальные исследования электронных состояний в полупроводниках и наноструктурах различной размерности; влияние электромагнитного поля на электронные состояния.
  • Оптические и транспортные свойства гетеросистем: квантовых ям, нитей и точек; примеси и дефекты в квантово-размерных структурах.
  • Межчастичные взаимодействия в квазидвумерных электронных системах высокой плотности.
  • Квантовый эффект Холла, квантовые фазовые переходы.
  • Неравновесные явления в системах пониженной размерности, неравновесные фононы, кинетика быстропротекающих процессов.
  • Эффекты размерного квантования в металлических и аморфных полупроводниковых пленках.
  • Квантовые приборы, наноэлектроника, элементы квантового компьютера.
  • Лазеры на полупроводниковых гетроструктурах.
  • Сверхпроводимость в многослойных структурах диэлектрик-сверхпроводник.
  • Физические явления в ионно-модифицированном алмазе и гетероструктурах на его основе.
  • Физика сильно локализованных дефектов и примесей (включая d- и f-элементы) в алмазоподобных полупроводниках и низкоразмерных структурах на их основе.
  • Природа фазовых переходов и механизм сверхпроводимости в ВТСП.
  • Оптические и туннельные исследования ВТСП.
  • Смешанное состояние и динамика вихревых решеток в сверхпроводниках.